AMD R5316G1609U2K 8GB против Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB

-->

Средняя оценка

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R5316G1609U2K 8GB

Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB

Сообщить об ошибке

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 73

Около -204% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15 6.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.3 5.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R5316G1609U2K 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 24
Скорость чтения, Гб/сек

6.3 15.0
Скорость записи, Гб/сек

5.2 11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1309 2370

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965684-005.A00G 8GB

Kingston 9965684-005.A00G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB

Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB

Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB

A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

модули RAM