RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S-UO 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.2
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2272
3055
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link