RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S-UO 4GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2272
3283
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link