RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S-UO 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2272
2417
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link