AMD R538G1601U2S 8GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

-->

Средняя оценка

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Средняя оценка

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R538G1601U2S 8GB

Причины выбрать
AMD R538G1601U2S 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 28

Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.4 18.2

Среднее значение в тестах

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

14.2 12.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R538G1601U2S 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

19 28
Скорость чтения, Гб/сек

18.4 18.2
Скорость записи, Гб/сек

12.3 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3189 3463

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C

Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB

Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB

модули RAM