RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S 8GB против Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S 8GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
19
19
Скорость чтения, Гб/сек
18.4
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.3
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3189
3499
AMD R538G1601U2S 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link