RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S 8GB против Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
36
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
19
36
Скорость чтения, Гб/сек
18.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.3
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3189
2381
AMD R538G1601U2S 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link