RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
AMD R5S38G1601U2S 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
41
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
41
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
7.8
Скорость записи, Гб/сек
9.2
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2581
1512
AMD R5S38G1601U2S 8GB Сравнения RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link