AMD R7416G2400U2S 16GB против Kingston 9905665-021.A00G 4GB

-->

Средняя оценка

AMD R7416G2400U2S 16GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

Средняя оценка

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R7416G2400U2S 16GB

Причины выбрать
AMD R7416G2400U2S 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.1 18

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.6 12.9

Среднее значение в тестах

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 22

Около -5% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R7416G2400U2S 16GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

22 21
Скорость чтения, Гб/сек

18.1 18.0
Скорость записи, Гб/сек

14.6 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 21300

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3260 2772

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N

модули RAM

AMD R7416G2400U2S 16GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB

Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB

Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

AMD R7S44G2606U1S 4GB

AMD R7S44G2606U1S 4GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

модули RAM