RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против AMD R748G2606U2S 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
AMD R748G2606U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
61
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
61
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2028
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link