RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3510
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link