RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
19.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3889
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link