RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
18.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3529
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link