RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3367
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link