ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

-->

Средняя оценка

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.5 8.0

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 26

Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.7 12.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 25
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 13.7
Скорость записи, Гб/сек

9.5 8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2174 2290

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB

модули RAM

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB

Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB

модули RAM