RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
26
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2250
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link