RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Kingston XRMWRN-HYA 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2962
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Corsair VS2GB1333D3 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link