RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2611
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link