RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
53
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
53
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
10.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2285
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link