RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB против A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Средняя оценка
star star star star star
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 30
    Около 7% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.1 left arrow 16.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.8 left arrow 11.5
    Среднее значение в тестах
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    18.1 left arrow 16.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    14.8 left arrow 11.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3564 left arrow 3019

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
модули RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
модули RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
модули RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
модули RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
модули RAM