Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB против Kingston 9905702-007.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Средняя оценка

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Причины выбрать
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 40

Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.3 7.2

Среднее значение в тестах

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905702-007.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

34 40
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 12.8
Скорость записи, Гб/сек

10.3 7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2782 1785

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB

Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB

Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

модули RAM

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM