RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сравнить
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
51
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
10.3
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2782
2687
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K000MD44U 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link