Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB против Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Средняя оценка

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.5 12.4

Среднее значение в тестах

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 28

Около -12% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.6 9.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 25
Скорость чтения, Гб/сек

13.5 12.4
Скорость записи, Гб/сек

9.3 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2278 1511

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston 9905624-018.A00G 8GB

Kingston 9905624-018.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB

Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB

модули RAM