RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
41
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
41
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
9.3
Скорость записи, Гб/сек
8.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2355
2044
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link