Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB против SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Причины выбрать
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

43 49

Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения

11.8 8.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.0 5.2

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

43 49
Скорость чтения, Гб/сек

11.8 8.2
Скорость записи, Гб/сек

8.0 5.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 10600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1889 1223

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

модули RAM

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB

модули RAM

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB

модули RAM