RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
74
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
74
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2099
1616
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link