RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
28
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
28
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
13.8
Скорость записи, Гб/сек
15.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
2354
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link