RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.4
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
3693
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link