RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.4
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
2731
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link