Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Сообщить об ошибке

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 37

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 11.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.3 7.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 28
Скорость чтения, Гб/сек

11.4 16.1
Скорость записи, Гб/сек

7.4 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1683 2742

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB

Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB

ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston 9965596-029.B00G 4GB

Kingston 9965596-029.B00G 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

Kingston KF556C40-16 16GB

Kingston KF556C40-16 16GB

Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB

Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB

модули RAM