RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.7
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
3694
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link