RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
15.0
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3636
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link