RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.2
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2933
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link