RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
12.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2361
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link