RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3098
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link