RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
42
Около -2% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
41
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
9.3
Скорость записи, Гб/сек
9.4
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2044
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link