RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2732
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link