RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
27
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
14.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
27
Скорость чтения, Гб/сек
18.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
15.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3255
3418
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link