RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,135.0
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
3066
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link