Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 32

Около 9% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

19.4 14.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.6 10.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 32
Скорость чтения, Гб/сек

14.3 19.4
Скорость записи, Гб/сек

10.1 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2227 3364

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB

Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB

Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB

модули RAM

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N

модули RAM