RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2848
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-RD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link