RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
29
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
18
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
20.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3536
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link