RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
29
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
18
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
20.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3536
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link