Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB против Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Средняя оценка

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Сообщить об ошибке

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

Причины выбрать
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 38

Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.6 15.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.2 9.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 33
Скорость чтения, Гб/сек

15.6 19.6
Скорость записи, Гб/сек

9.8 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2566 3374

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB

Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Maxsun MSD48G32Q3 8GB

Maxsun MSD48G32Q3 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB

Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

модули RAM