RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против AMD R744G2400U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
AMD R744G2400U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R744G2400U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2862
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link