RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3693
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link