Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 27

Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.5 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.9 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 22
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 16.5
Скорость записи, Гб/сек

8.4 9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2251 2682

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB

Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB

модули RAM