RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
41
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
41
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1512
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link