RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
20.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3796
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link