Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Средняя оценка

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 55

Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.9 9.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.4 7.4

Среднее значение в тестах

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 55
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 9.3
Скорость записи, Гб/сек

8.4 7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2251 2078

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM