RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
71
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
71
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
1866
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link